氮化硅基复合陶瓷及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080001148.7

申请日：

2010-02-18

公开(公告)号：

CN101959831B

公开(公告)日：

2011-01-26

发明(设计)人：

井筒靖久北英纪日向秀树近藤直树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽;陈建全

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-26	公开	公开
2013-09-18	授权	授权
2023-01-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/584 登记生效日:20230111 变更事项:专利权人变更前权利人:三井金属矿业株式会社变更后权利人:三井金属矿业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京变更事项:专利权人变更前权利人:独立行政法人产业技术综合研究所
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058488392 IPC(主分类):C04B 35/584 专利申请号:2010800011487 申请日:20100218

共 50 条

[1]

氮化硅基复合陶瓷及其活塞顶 [P].

田杰谟 ;

童晓华 ;

胡久大 ;

张宝清 ;

周建华 ;

王加龙 .

中国专利 :CN1057826A ,1992-01-15

[2]

一种氮化硅基复合陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈琦 ;

李显坪 ;

唐宝发 ;

杨在富 ;

邵家伟 ;

吴宇皓 .

中国专利 :CN117820004B ,2025-08-26

[3]

一种氮化硅基复合陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈琦 ;

李显坪 ;

唐宝发 ;

杨在富 ;

邵家伟 ;

吴宇皓 .

中国专利 :CN117820004A ,2024-04-05

[4]

氮化硅基复合陶瓷材料及其微波烧结制备方法 [P].

殷增斌 ;

徐伟伟 ;

陈明丹 ;

袁军堂 ;

汪振华 .

中国专利 :CN108675797A ,2018-10-19

[5]

氮化硅基陶瓷体、氮化硅基陶瓷表面原位自生成氮化锆涂层的方法 [P].

王曲 .

中国专利 :CN113880591A ,2022-01-04

[6]

高韧性氮化硅基陶瓷刀具材料及其制造方法 [P].

李文宏 ;

范景林 ;

赵惠琴 ;

李杰 ;

王树海 .

中国专利 :CN85103011A ,1986-09-10

[7]

氮化硅陶瓷制造方法 [P].

宁晓山 ;

吕鑫 ;

徐伟 ;

周和平 ;

陈克新 .

中国专利 :CN1246253C ,2005-03-23

[8]

氮化硅陶瓷基板及其制造方法 [P].

邢孟江 ;

杨晓东 ;

代传相 ;

邢孟道 ;

刘永红 .

中国专利 :CN114409413A ,2022-04-29

[9]

一种高性能氮化硅基复合陶瓷的制备方法 [P].

乔竹辉 ;

刘炯杰 ;

杨军 ;

朱圣宇 ;

程军 ;

于源 ;

刘维民 .

中国专利 :CN110759737B ,2020-02-07

[10]

氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

颜井意 ;

蔡安澜 ;

杜建周 ;

史媛玉 .

中国专利 :CN108409336A ,2018-08-17

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