半导体器件制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110335725.2
申请日
2011-10-29
公开(公告)号
CN102347273B
公开(公告)日
2012-02-08
发明(设计)人
毛智彪 胡友存
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
陆花
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102354683A ,2012-02-15
[2]
半导体器件制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102354682B ,2012-02-15
[3]
半导体器件制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102354681A ,2012-02-15
[4]
半导体器件制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 ;
戴韫青 ;
王剑 .
中国专利 :CN102339790A ,2012-02-01
[5]
半导体器件制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 ;
戴韫青 ;
王剑 .
中国专利 :CN102339792A ,2012-02-01
[6]
半导体器件制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102412198B ,2012-04-11
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102324399A ,2012-01-18
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969272A ,2013-03-13