半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710350094.9
申请日
2017-05-18
公开(公告)号
CN108962986A
公开(公告)日
2018-12-07
发明(设计)人
李勇 洪中山
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29423 H01L21336
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
张海强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 .
中国专利 :CN109904112B ,2019-06-18
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN107452792A ,2017-12-08
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN108962985B ,2018-12-07
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
神兆旭 ;
卑多慧 .
中国专利 :CN108695321A ,2018-10-23
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
杨佳琦 ;
赵杰 .
中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
邓浩 ;
徐建华 ;
周峰 ;
杨小军 .
中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
冯军宏 ;
甘正浩 .
中国专利 :CN102956494A ,2013-03-06
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN109427880B ,2019-03-05
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN108091651B ,2018-05-29
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
彭仕敏 .
中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13