纳米间隙原位活化的复合阳极键合方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810183325.6
申请日
2018-03-06
公开(公告)号
CN108383080A
公开(公告)日
2018-08-10
发明(设计)人
潘明强 孙立宁
申请人
申请人地址
215104 江苏省苏州市吴中区吴中大道1188号
IPC主分类号
B81C300
IPC分类号
代理机构
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295
代理人
叶栋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
复合阳极键合方法 [P]. 
潘明强 ;
陈涛 ;
刘吉柱 ;
陈立国 ;
孙立宁 .
中国专利 :CN102659071B ,2012-09-12
[2]
复合阳极键合装置 [P]. 
潘明强 ;
孙立宁 .
中国专利 :CN207918426U ,2018-09-28
[3]
复合阳极的制备方法及复合阳极 [P]. 
吴凯强 ;
李敏世 ;
谢小东 .
中国专利 :CN114481250A ,2022-05-13
[4]
复合阳极和包括复合阳极的锂离子电池组以及复合阳极的制备方法 [P]. 
S·鲁帕特 ;
荻原秀树 ;
N·齐欧瓦拉斯 ;
T·韦尔勒 .
中国专利 :CN107004842A ,2017-08-01
[5]
复合阳极、复合阳极的制备方法、显示面板及显示装置 [P]. 
李瑶 ;
徐培 .
中国专利 :CN118922011A ,2024-11-08
[6]
复合阳极、复合阳极的制备方法、显示面板及显示装置 [P]. 
李瑶 ;
徐培 .
中国专利 :CN119095408B ,2025-01-17
[7]
复合阳极、复合阳极的制备方法、显示面板及显示装置 [P]. 
李瑶 ;
徐培 .
中国专利 :CN119095408A ,2024-12-06
[8]
复合阳极、复合阳极的制备方法、显示面板及显示装置 [P]. 
李瑶 ;
徐培 .
中国专利 :CN118922011B ,2025-01-03
[9]
磁控介质阻挡放电阳极键合系统及方法 [P]. 
潘明强 ;
姚富荣 ;
王阳俊 ;
刘吉柱 ;
孙立宁 .
中国专利 :CN108516519A ,2018-09-11
[10]
一种硅片的阳极键合装置及其键合方法 [P]. 
于见河 ;
宋义 .
中国专利 :CN117963836B ,2024-12-06