形成氧化物膜的方法和氧化物沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710090344.6

申请日：

2007-04-04

公开(公告)号：

CN101050523A

公开(公告)日：

2007-10-10

发明(设计)人：

李振镐韩泳基郭在灿

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16448

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方;刘国伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	授权	授权
2007-10-10	公开	公开
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品 [P].

李翔 ;

袁红霞 ;

王娟 .

中国专利 :CN120738625A ,2025-10-03

[2]

制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备 [P].

朴在润 ;

朴宰铉 ;

朴琪勋 ;

尹弼相 .

中国专利 :CN110164753A ,2019-08-23

[3]

氧化物膜和氧化物溅射靶 [P].

山本浩由 ;

奈良淳史 .

日本专利 :CN118401695A ,2024-07-26

[4]

氧化物溅射靶和氧化物膜 [P].

宗安慧 ;

奈良淳史 ;

大友大干 .

日本专利 :CN120603983A ,2025-09-05

[5]

提高氧化物膜的沉积速率 [P].

阿维尼什·古普塔 ;

弗兰克·L·帕斯夸里 ;

阿德里安·拉瓦伊 ;

希瓦·沙兰·班达里 ;

普尔凯特·阿加瓦尔 ;

巴特·简·范施拉芬迪克 .

美国专利 :CN117677730A ,2024-03-08

[6]

用于形成氧化物膜的方法和设备 [P].

西口哲也 ;

一村信吾 ;

野中秀彦 ;

森川良树 ;

野寄刚示 ;

花仓满 .

中国专利 :CN100555582C ,2007-07-18

[7]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[8]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[9]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN109065553A ,2018-12-21

[10]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

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