半导体基片和半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810166513.4

申请日：

2008-10-09

公开(公告)号：

CN101521208A

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

内海胜喜隈川隆博

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L27118

IPC分类号：

H01L2178 B81B700 B81C500 H04R1702 H04R3100 B23K2640 B23K2638 B23K10140

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058493416 IPC(主分类):H01L 27/118 专利申请号:2008101665134 申请日:20081009
2013-02-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101523597073 IPC(主分类):H01L 27/118 专利申请号:2008101665134 申请公布日:20090902
2009-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

[2]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

大隅贵寿 .

中国专利 :CN1945821A ,2007-04-11

[3]

半导体器件及其制造方法和半导体基板 [P].

赤星年隆 .

中国专利 :CN101404270A ,2009-04-08

[4]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

梁剑波 .

中国专利 :CN110504160A ,2019-11-26

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

福井自由 ;

高桥贵树 ;

出口香奈子 ;

那须贤太郎 .

日本专利 :CN113424311B ,2024-08-30

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

福井自由 ;

高桥贵树 ;

出口香奈子 ;

那须贤太郎 .

中国专利 :CN113424311A ,2021-09-21

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

加藤丰 ;

铃木宏明 ;

上田直人 ;

青仓勇 ;

吉田隆幸 ;

本藤拓磨 .

中国专利 :CN101174599A ,2008-05-07

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

齐藤光俊 ;

高桥敬一 .

中国专利 :CN110520987A ,2019-11-29

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19

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