低阻且可抑制负阻效应的SOI‑LIGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710109457.X

申请日：

2017-02-27

公开(公告)号：

CN106876454A

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

乔明詹珍雅章文通何逸涛肖倩倩余洋王正康张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L2936 H01L21331

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20170620
2017-06-20	公开	公开
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734194601 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:201710109457X 申请日:20170227

共 50 条

[1]

可抑制Snapback现象的SOI‑LIGBT器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

詹珍雅 ;

章文通 ;

肖倩倩 ;

王正康 ;

余洋 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN106847883A ,2017-06-13

[2]

SOI低阻横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

詹珍雅 ;

章文通 ;

肖倩倩 ;

曾莉尧 ;

曹厚华 ;

丁柏浪 ;

张波 .

中国专利 :CN106952809A ,2017-07-14

[3]

具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN112164719A ,2021-01-01

[4]

一种能抑制负阻效应的SA‑LIGBT [P].

任敏 ;

刘永 ;

杨珏琳 ;

蔡果 ;

牛博 ;

伍济 ;

朱章丹 ;

陈海文 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN104795438B ,2015-07-22

[5]

一种无负阻效应的介质超结RC-LIGBT器件 [P].

陈伟中 ;

李程 ;

曾祥伟 ;

吴傲 ;

严仪欣 .

中国专利 :CN118676195A ,2024-09-20

[6]

低阻碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

黄薛佺 ;

杨卓 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN114284359A ,2022-04-05

[7]

具有平面组合辅助电极结构的SOI LIGBT器件及其制备方法 [P].

段宝兴 ;

唐春萍 ;

王彦东 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN114597259A ,2022-06-07

[8]

一种双层部分SOI LIGBT器件及其制造方法 [P].

郭厚东 ;

成建兵 ;

陈旭东 ;

滕国兵 .

中国专利 :CN105633140B ,2016-06-01

[9]

耗尽自连续的匀场低阻器件及制造方法 [P].

章文通 ;

何佳敏 ;

赵泉钰 .

中国专利 :CN115000151A ,2022-09-02

[10]

具有多维耦合分压机制的匀场低阻器件及其制造方法 [P].

张波 ;

吴凌颖 ;

刘雨婷 ;

章文通 ;

李肇基 .

中国专利 :CN115050808A ,2022-09-13

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