SOI低阻横向高压器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710202896.5

申请日：

2017-03-30

公开(公告)号：

CN106952809A

公开(公告)日：

2017-07-14

发明(设计)人：

乔明詹珍雅章文通肖倩倩曾莉尧曹厚华丁柏浪张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L21265 H01L2906 H01L2936

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101739967679 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2017102028965 申请日:20170330
2017-07-14	公开	公开
2020-09-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/316 申请公布日:20170714

共 50 条

[1]

一种SOI横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

詹珍雅 ;

章文通 ;

肖倩倩 ;

王正康 ;

余洋 ;

张波 .

中国专利 :CN106847833A ,2017-06-13

[2]

一种SOI横向高压器件 [P].

章文通 ;

詹珍雅 ;

肖倩倩 ;

余洋 ;

王正康 ;

乔明 .

中国专利 :CN107068736B ,2017-08-18

[3]

低阻且可抑制负阻效应的SOI‑LIGBT器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

詹珍雅 ;

章文通 ;

何逸涛 ;

肖倩倩 ;

余洋 ;

王正康 ;

张波 .

中国专利 :CN106876454A ,2017-06-20

[4]

横向扩散高压器件及其制造方法 [P].

陈瑜 .

中国专利 :CN111883594A ,2020-11-03

[5]

横向高压器件及其制造方法 [P].

袁章亦安 .

中国专利 :CN118763109A ,2024-10-11

[6]

横向高压MOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 .

中国专利 :CN102054866A ,2011-05-11

[7]

横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

代刚 ;

王裕如 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN105070754A ,2015-11-18

[8]

一种具有超结结构的SOI横向高压器件 [P].

章文通 ;

詹珍雅 ;

肖倩倩 ;

王正康 ;

乔明 .

中国专利 :CN106981518A ,2017-07-25

[9]

横向高压器件及其制造方法 [P].

唐纳徳·迪斯尼 ;

欧力杰·米力克 .

中国专利 :CN102751330A ,2012-10-24

[10]

横向高压器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

王裕如 ;

代刚 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 .

中国专利 :CN105161538A ,2015-12-16

← 1 2 3 4 5 →