一种高密度电阻型随机存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110076685.4

申请日：

2011-03-29

公开(公告)号：

CN102208531A

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

邓宁张树超焦斌陈培毅

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

黄家俊

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700598052 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011100766854 申请公布日:20111005
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140143251 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011100766854 申请日:20110329
2011-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度动态随机存取存储单元 [P].

马萨阿基·耶雪罗 ;

西杰基·莫雷纳加 ;

克拉伦斯·王兴登 .

中国专利 :CN1051105A ,1991-05-01

[2]

一种改进的高密度存储单元 [P].

里卡德·福斯 ;

科马克·奥康奈尔 .

中国专利 :CN1248237C ,2003-04-02

[3]

一种高密度静态随机存储器 [P].

蒋信 ;

刘瑞盛 ;

喻涛 ;

简红 .

中国专利 :CN114256245A ,2022-03-29

[4]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

中国专利 :CN110600499A ,2019-12-20

[5]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

美国专利 :CN110600499B ,2024-09-20

[6]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

美国专利 :CN119072134A ,2024-12-03

[7]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

中国专利 :CN106058044A ,2016-10-26

[8]

用在高密度CMOS SRAM中的叠置存储单元 [P].

梁香子 ;

赵郁来 .

中国专利 :CN1992283B ,2007-07-04

[9]

一种高密度随机存储器架构 [P].

肖荣福 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN108735894A ,2018-11-02

[10]

紧凑型相变存储器单元及高密度相变存储阵列结构 [P].

王大伟 ;

赵文生 ;

李妍仪 ;

张搏文 .

中国专利 :CN117715441A ,2024-03-15

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