CdSe量子点的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200310111494.2
申请日
2003-12-02
公开(公告)号
CN1547238A
公开(公告)日
2004-11-17
发明(设计)人
何治柯 梁建功
申请人
申请人地址
430072湖北省武汉市武昌珞珈山
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L3300 H01S500
代理机构
武汉天力专利事务所
代理人
程祥;冯卫平
法律状态
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
国省代码
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共 50 条
[1]
CdSe量子点的制备方法 [P]. 
庞代文 ;
徐昊 ;
彭俊 ;
张志凌 ;
田智全 ;
朱小波 ;
毛蒙 .
中国专利 :CN1789372A ,2006-06-21
[2]
CdSe量子点制备工艺、CdSe量子点 [P]. 
陈赟斐 ;
吴炫烨 .
中国专利 :CN118978917A ,2024-11-19
[3]
CdSe量子点的制备方法 [P]. 
孙康 ;
李万万 ;
邢滨 .
中国专利 :CN1986725A ,2007-06-27
[4]
CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法 [P]. 
庞代文 ;
谢海燕 ;
侯安新 .
中国专利 :CN1403379A ,2003-03-19
[5]
梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点 [P]. 
庞代文 ;
朱小波 ;
朱东亮 ;
董博然 ;
郭三维 ;
徐越 ;
朱晓亮 .
中国专利 :CN114479862A ,2022-05-13
[6]
一种CdSe量子点的制备方法 [P]. 
王华林 ;
张涛 ;
张科登 .
中国专利 :CN108373919A ,2018-08-07
[7]
一种CdSe量子点的制备方法 [P]. 
江瑶瑶 ;
钟福新 ;
高云鹏 ;
黎燕 ;
莫德清 .
中国专利 :CN106757120B ,2017-05-31
[8]
一种CdSe量子点的制备方法 [P]. 
尹勇明 ;
林坤锋 ;
杜飞虎 .
中国专利 :CN121134696A ,2025-12-16
[9]
一种光谱可控的CdSe量子点制备方法 [P]. 
杨希峰 ;
尹兴锐 ;
李南星 ;
张德宝 ;
杨宏 ;
刘玉申 ;
况亚伟 ;
顾利萍 ;
孙苏徽 ;
赵明江 .
中国专利 :CN106590665A ,2017-04-26
[10]
水溶性CdSe/CdS 核/壳型量子点的制备方法 [P]. 
黄维 ;
汪联辉 ;
范曲立 ;
何耀 ;
陆昊婷 .
中国专利 :CN1693208A ,2005-11-09