一种光谱可控的CdSe量子点制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710117670.5

申请日：

2017-03-01

公开(公告)号：

CN106590665A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

杨希峰尹兴锐李南星张德宝杨宏刘玉申况亚伟顾利萍孙苏徽赵明江

申请人：

申请人地址：

215500 江苏省苏州市常熟市南三环路99号

IPC主分类号：

C09K1188

IPC分类号：

B82Y2000 B82Y4000

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张俊范

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721566413 IPC(主分类):C09K 11/88 专利申请号:2017101176705 申请日:20170301
2017-04-26	公开	公开
2019-03-01	授权	授权
2021-08-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C09K 11/88 登记生效日:20210804 变更事项:专利权人变更前权利人:常熟理工学院变更后权利人:苏州昆道新材料科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215500 江苏省苏州市常熟市南三环路99号变更后权利人:215513 江苏省苏州市常熟经济技术开发区研究院路7号1幢

共 50 条

[1]

一种CdSe纳米材料的制备方法 [P].

甘罗 ;

刘春明 .

中国专利 :CN111634890A ,2020-09-08

[2]

CdSe量子点的制备方法 [P].

何治柯 ;

梁建功 .

中国专利 :CN1547238A ,2004-11-17

[3]

CdSe量子点的制备方法 [P].

庞代文 ;

徐昊 ;

彭俊 ;

张志凌 ;

田智全 ;

朱小波 ;

毛蒙 .

中国专利 :CN1789372A ,2006-06-21

[4]

CdSe量子点制备工艺、CdSe量子点 [P].

陈赟斐 ;

吴炫烨 .

中国专利 :CN118978917A ,2024-11-19

[5]

CdSe量子点的制备方法 [P].

孙康 ;

李万万 ;

邢滨 .

中国专利 :CN1986725A ,2007-06-27

[6]

一种CdSe量子点的制备方法 [P].

王华林 ;

张涛 ;

张科登 .

中国专利 :CN108373919A ,2018-08-07

[7]

一种CdSe量子点的制备方法 [P].

江瑶瑶 ;

钟福新 ;

高云鹏 ;

黎燕 ;

莫德清 .

中国专利 :CN106757120B ,2017-05-31

[8]

一种CdSe量子点的制备方法 [P].

尹勇明 ;

林坤锋 ;

杜飞虎 .

中国专利 :CN121134696A ,2025-12-16

[9]

一种发光性能可控的CdSe量子点及其制备方法 [P].

高兵 ;

沈超 ;

杨云霞 ;

陈国荣 ;

袁双龙 .

中国专利 :CN103242848A ,2013-08-14

[10]

一种手性CdSe量子点的制备方法 [P].

赵丹 ;

马诗瑶 ;

郝健 .

中国专利 :CN108251116A ,2018-07-06

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