一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210498033.8

申请日：

2022-05-09

公开(公告)号：

CN114865446A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

李马惠潘彦廷穆瑶师宇晨张海超

申请人：

申请人地址：

712000 陕西省西安市西咸新区沣西新城开元路以北、兴信路以西、纵九路以东

IPC主分类号：

H01S502345

IPC分类号：

H01S50239 H01S5026 H01S5028

代理机构：

西安迪业欣知识产权代理事务所(普通合伙) 61278

代理人：

校丽丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	公开	公开
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/02345 申请日:20220509

共 50 条

[1]

一种电吸收调制激光器及其制备方法、发射机 [P].

邓秋芳 .

中国专利 :CN120165300A ,2025-06-17

[2]

电吸收调制激光器及其制备方法 [P].

周代兵 ;

贺卫利 ;

安欣 ;

梁松 ;

赵玲娟 .

中国专利 :CN116526298B ,2025-07-25

[3]

电吸收调制激光器及其制备方法 [P].

周代兵 ;

安欣 ;

贺卫利 ;

陆丹 ;

梁松 ;

赵玲娟 .

中国专利 :CN118508239A ,2024-08-16

[4]

一种电吸收调制激光器偏置电路 [P].

任礼霞 ;

夏京盛 .

中国专利 :CN201946873U ,2011-08-24

[5]

一种电吸收调制激光器偏置电路 [P].

任礼霞 ;

夏京盛 .

中国专利 :CN102571003B ,2012-07-11

[6]

一种高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法 [P].

高承浩 ;

章曙东 .

中国专利 :CN117810807A ,2024-04-02

[7]

一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法 [P].

赵自闯 ;

蒋晨龙 .

中国专利 :CN119134046B ,2025-05-23

[8]

一种电吸收调制激光器芯片及其制作方法 [P].

赵自闯 ;

蒋晨龙 .

中国专利 :CN119134046A ,2024-12-13

[9]

电吸收调制激光器 [P].

陈欣 .

中国专利 :CN115336123B ,2025-04-04

[10]

电吸收调制激光器 [P].

陈欣 .

中国专利 :CN115336123A ,2022-11-11

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