一种电吸收调制激光器及其制备方法、发射机

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311731139.9

申请日：

2023-12-14

公开(公告)号：

CN120165300A

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

邓秋芳

申请人：

中兴光电子技术有限公司

申请人地址：

210012 江苏省南京市雨花台区凤展路30号2幢23层

IPC主分类号：

H01S5/34

IPC分类号：

H01S5/12 H01S5/10 H01S5/028 H01S5/06 H04B10/50

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

麦广林

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法 [P].

李马惠 ;

潘彦廷 ;

穆瑶 ;

师宇晨 ;

张海超 .

中国专利 :CN114865446A ,2022-08-05

[2]

电吸收调制激光器及其制备方法 [P].

周代兵 ;

贺卫利 ;

安欣 ;

梁松 ;

赵玲娟 .

中国专利 :CN116526298B ,2025-07-25

[3]

电吸收调制激光器及其制备方法 [P].

周代兵 ;

安欣 ;

贺卫利 ;

陆丹 ;

梁松 ;

赵玲娟 .

中国专利 :CN118508239A ,2024-08-16

[4]

一种电吸收调制激光器及其制备方法 [P].

赵波 ;

殷琪深 ;

秦金源 .

中国专利 :CN120414269A ,2025-08-01

[5]

级联式电吸收调制激光器 [P].

张建国 ;

赵卫 ;

刘元山 ;

谢小平 .

中国专利 :CN201061080Y ,2008-05-14

[6]

一种电吸收调制激光器及其制造方法 [P].

熊永华 ;

万枫 ;

王任凡 .

中国专利 :CN106785916B ,2017-05-31

[7]

电吸收调制激光器及其制备方法 [P].

王健 ;

罗毅 ;

孙长征 ;

熊兵 .

中国专利 :CN107611772B ,2018-01-19

[8]

一种电吸收调制激光器偏置电路 [P].

任礼霞 ;

夏京盛 .

中国专利 :CN201946873U ,2011-08-24

[9]

一种电吸收调制激光器偏置电路 [P].

任礼霞 ;

夏京盛 .

中国专利 :CN102571003B ,2012-07-11

[10]

电吸收调制激光器 [P].

陈欣 .

中国专利 :CN115336123B ,2025-04-04

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