氢剩余量传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200880001511.8
申请日
2008-01-23
公开(公告)号
CN101595378B
公开(公告)日
2009-12-02
发明(设计)人
藤田泰宏 河原崎芳德 大胁康志 林义彦 岩本隆志
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
G01N1900
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
车文;张建涛
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
氢传感器 [P]. 
内山直树 ;
松本博幸 ;
中林正刚 .
中国专利 :CN101449147A ,2009-06-03
[2]
氢传感器 [P]. 
植田敏嗣 ;
大井川宽 .
中国专利 :CN108027333A ,2018-05-11
[3]
氢传感器 [P]. 
宫照霞 .
中国专利 :CN301043935D ,2009-10-21
[4]
氢传感器 [P]. 
I·帕弗洛弗斯基 ;
R·L·芬克 ;
Z·雅尼弗 .
中国专利 :CN101467030B ,2009-06-24
[5]
氢传感器 [P]. 
R·沙勒 ;
K·伊利安 .
德国专利 :CN117434208A ,2024-01-23
[6]
氢传感器 [P]. 
内山直树 ;
吉村和记 .
中国专利 :CN101680863B ,2010-03-24
[7]
氢传感器 [P]. 
本间运也 ;
伊藤理 ;
片山幸治 .
日本专利 :CN117795326A ,2024-03-29
[8]
氢传感器装置 [P]. 
菅野周一 ;
吉井泰雄 ;
小野塚准二 ;
曾筱雅彦 ;
大石英俊 ;
冈岛一博 ;
塚林俊二 .
中国专利 :CN102914562A ,2013-02-06
[9]
氢检测传感器 [P]. 
鲁容奎 ;
裴昊骏 ;
徐亨卓 ;
李英安 ;
S·S·卡拉努尔 .
中国专利 :CN105510311B ,2016-04-20
[10]
氢浓度传感器 [P]. 
朱明泽 ;
史庆旺 ;
高永强 ;
王佑 ;
吴伟 .
中国专利 :CN309378571S ,2025-07-11