晶体硅太阳能电池的扩散工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110342961.7

申请日：

2011-11-03

公开(公告)号：

CN102509746B

公开(公告)日：

2012-06-20

发明(设计)人：

刘文峰任哲郭进刘海平

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L21223

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

马强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-20	公开	公开
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101301317912 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2011103429617 申请日:20111103
2013-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

程远贵 ;

刘恺 ;

彭志红 ;

田杰成 ;

汤辉 ;

李功利 .

中国专利 :CN101707226B ,2010-05-12

[2]

晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

任常瑞 ;

陈培良 ;

杨立功 ;

孙霞 .

中国专利 :CN104766906A ,2015-07-08

[3]

晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺 [P].

李宇中 .

中国专利 :CN103151421A ,2013-06-12

[4]

用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

张华灿 ;

赵钊 ;

刘德臣 ;

王军 ;

顾艳杰 .

中国专利 :CN107086254A ,2017-08-22

[5]

采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池 [P].

汪钉崇 ;

焦云峰 .

中国专利 :CN201233895Y ,2009-05-06

[6]

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

付少剑 ;

蒋文杰 ;

何伟 ;

刘聪 ;

苗成祥 ;

魏青竹 ;

保罗 .

中国专利 :CN103367551A ,2013-10-23

[7]

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

励小伟 ;

梁海 ;

赖儒丹 .

中国专利 :CN109103081A ,2018-12-28

[8]

膜渗透太阳能电池扩散工艺 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN101478012B ,2009-07-08

[9]

一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺 [P].

刘鹏 ;

姜言森 ;

李玉花 ;

杨青天 ;

程亮 ;

刘斌贤 ;

孙晨曦 .

中国专利 :CN101980381B ,2011-02-23

[10]

一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 [P].

陈园 ;

杨晓琴 ;

张宇 ;

黄明 ;

张广路 ;

张广杰 ;

金阳 .

中国专利 :CN105070654B ,2015-11-18

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