膜渗透太阳能电池扩散工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810144292.0

申请日：

2008-07-31

公开(公告)号：

CN101478012B

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

汪钉崇

申请人：

申请人地址：

213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

常州市维益专利事务所 32211

代理人：

王凌霄

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更事项:专利权人变更前:天合光能有限公司变更后:天合光能股份有限公司变更事项:地址变更前:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号变更后:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
2018-04-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更事项:专利权人变更前:常州天合光能有限公司变更后:天合光能有限公司变更事项:地址变更前:213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号变更后:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
2010-12-29	授权	授权
2009-07-08	公开	公开
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

任常瑞 ;

陈培良 ;

杨立功 ;

孙霞 .

中国专利 :CN104766906A ,2015-07-08

[2]

晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

程远贵 ;

刘恺 ;

彭志红 ;

田杰成 ;

汤辉 ;

李功利 .

中国专利 :CN101707226B ,2010-05-12

[3]

晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

刘文峰 ;

任哲 ;

郭进 ;

刘海平 .

中国专利 :CN102509746B ,2012-06-20

[4]

用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

张华灿 ;

赵钊 ;

刘德臣 ;

王军 ;

顾艳杰 .

中国专利 :CN107086254A ,2017-08-22

[5]

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

付少剑 ;

蒋文杰 ;

何伟 ;

刘聪 ;

苗成祥 ;

魏青竹 ;

保罗 .

中国专利 :CN103367551A ,2013-10-23

[6]

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺 [P].

励小伟 ;

梁海 ;

赖儒丹 .

中国专利 :CN109103081A ,2018-12-28

[7]

太阳能电池片扩散工艺 [P].

张冠纶 ;

扈静 ;

李跃 .

中国专利 :CN109616543A ,2019-04-12

[8]

采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池 [P].

汪钉崇 ;

邓伟伟 .

中国专利 :CN201233896Y ,2009-05-06

[9]

晶体硅太阳能电池的浅浓度扩散工艺 [P].

李宇中 .

中国专利 :CN103151421A ,2013-06-12

[10]

采用选择性扩散工艺的晶体硅太阳能电池 [P].

汪钉崇 ;

焦云峰 .

中国专利 :CN201233895Y ,2009-05-06

← 1 2 3 4 5 →