一种基于DDR2 SDRAM的短周期存储方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510882910.1

申请日：

2015-12-04

公开(公告)号：

CN105528305A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

唐平韩航程张黎卜祥元汪柯

申请人：

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号北京理工大学

IPC主分类号：

G06F1210

IPC分类号：

G06F1208

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662097641 IPC(主分类):G06F 12/10 专利申请号:2015108829101 申请日:20151204
2016-04-27	公开	公开
2018-04-13	授权	授权
2022-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 12/10 申请日:20151204 授权公告日:20180413 终止日期:20211204

共 50 条

[1]

一种立体封装DDR2 SDRAM存储器 [P].

颜军 ;

陈像 ;

潘申林 ;

王烈洋 ;

占连样 .

中国专利 :CN210467839U ,2020-05-05

[2]

基于FPGA和DDR2 SDRAM的大容量异步FIFO缓存 [P].

孟小粟 .

中国专利 :CN202453864U ,2012-09-26

[3]

一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法 [P].

杨海涛 ;

黄佳 ;

张伟彬 .

中国专利 :CN110647436A ,2020-01-03

[4]

基于DDR2SDRAM阵列分段存储的无缝采集方法 [P].

杨扩军 ;

侯义贝 ;

蒋俊 ;

叶芃 .

中国专利 :CN103325426B ,2013-09-25

[5]

一种基于立体封装技术的DDR2存储器 [P].

孟庆福 ;

马玉华 ;

颜振辉 ;

占连样 .

中国专利 :CN212322995U ,2021-01-08

[6]

基于FPGA的外扩DDR2的读写方法及基于FPGA的外扩DDR2颗粒存储器 [P].

刘大同 ;

彭宇 ;

刘连胜 ;

见其拓 ;

刘川 ;

庞业勇 .

中国专利 :CN102789424B ,2012-11-21

[7]

一种基于图像旋转显示的DDR2分块存储方法 [P].

刘承禹 ;

王婷 ;

张玲 .

中国专利 :CN105551456A ,2016-05-04

[8]

一种用于高清数字矩阵的DDR2存储方法和系统 [P].

吴亮 .

中国专利 :CN102625086B ,2012-08-01

[9]

DDR2存储器的建模方法和边界扫描测试方法 [P].

杜影 ;

李洋 ;

徐鹏程 ;

王石记 .

中国专利 :CN103035300A ,2013-04-10

[10]

一种DDR2-SDRAM控制器及其低延迟优化方法 [P].

刘昊 ;

何雅乾 ;

黄成 .

中国专利 :CN105045722B ,2015-11-11

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