半导体基板与半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810862779.6

申请日：

2018-08-01

公开(公告)号：

CN110797309A

公开(公告)日：

2020-02-14

发明(设计)人：

骆统杨令武杨大弘陈光钊

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L2313

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李佳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-02	授权	授权
2020-02-14	公开	公开
2020-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/13 申请日:20180801

共 50 条

[1]

半导体基板、半导体装置 [P].

木村龙一 .

中国专利 :CN203242661U ,2013-10-16

[2]

半导体基板、半导体封装与半导体装置的制造方法 [P].

林少雄 ;

林建福 .

中国专利 :CN105161427A ,2015-12-16

[3]

半导体基板及半导体装置 [P].

龙强 .

中国专利 :CN115843176B ,2025-06-06

[4]

半导体装置及半导体基板 [P].

中村真嗣 ;

石田昌宏 ;

折田贤儿 ;

今藤修 ;

油利正昭 .

中国专利 :CN1553523A ,2004-12-08

[5]

半导体基板及半导体装置 [P].

大见忠弘 ;

寺本章伸 ;

诹访智之 ;

黑田理人 ;

工藤秀雄 ;

速水善范 .

中国专利 :CN101816060B ,2010-08-25

[6]

半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

岛田雅夫 ;

秦雅彦 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

久米英司 .

中国专利 :CN103403883B ,2013-11-20

[7]

半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法 [P].

岩见正之 ;

古川拓也 .

中国专利 :CN103262214A ,2013-08-21

[8]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120787371A ,2025-10-14

[9]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120917541A ,2025-11-07

[10]

半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置 [P].

杉山正和 ;

霜垣幸浩 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101978503A ,2011-02-16

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