相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910233385.9

申请日：

2019-03-26

公开(公告)号：

CN109935688B

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

宋志棠郑龙宋三年任堃朱敏宋文雄

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233

代理人：

宋缨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	授权	授权
2019-06-25	公开	公开
2019-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190326

共 50 条

[1]

相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器 [P].

宋志棠 ;

郑龙 ;

宋三年 .

中国专利 :CN109728162A ,2019-05-07

[2]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[3]

多层相变薄膜及其相变存储器单元的制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

刘建彬 ;

李天赐 .

中国专利 :CN113611798A ,2021-11-05

[4]

相变存储单元及相变存储器 [P].

柳鹏 ;

李群庆 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN102231424A ,2011-11-02

[5]

相变存储单元及相变存储器 [P].

洪红维 ;

黄崇礼 .

中国专利 :CN102270505A ,2011-12-07

[6]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361B ,2024-05-24

[7]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361A ,2021-11-02

[8]

一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

崔铭格 ;

曾运韬 ;

李凯 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115084370A ,2022-09-20

[9]

一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

崔铭格 ;

曾运韬 ;

李凯 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115084370B ,2025-10-17

[10]

相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法 [P].

陈鑫 ;

李响 .

中国专利 :CN115472738A ,2022-12-13

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