一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210762301.2

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115084370B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

程晓敏崔铭格曾运韬李凯缪向水

申请人：

华中科技大学湖北江城实验室

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

C30B23/02 C30B29/46

代理机构：

武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267

代理人：

邓彦彦;廖盈春

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

崔铭格 ;

曾运韬 ;

李凯 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115084370A ,2022-09-20

[2]

相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器 [P].

宋志棠 ;

郑龙 ;

宋三年 .

中国专利 :CN109728162A ,2019-05-07

[3]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361B ,2024-05-24

[4]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361A ,2021-11-02

[5]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[6]

一种相变薄膜及其制备方法和相变存储器 [P].

程晓敏 ;

刘香君 ;

曾运韬 ;

缪向水 ;

马平 ;

谭海波 ;

李响 .

中国专利 :CN115589771A ,2023-01-10

[7]

一种超晶格相变薄膜及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

张博凯 ;

曾运韬 ;

缪向水 ;

马平 ;

廖宇 ;

石晓钟 .

中国专利 :CN115589770A ,2023-01-10

[8]

多层相变薄膜及其相变存储器单元的制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

刘建彬 ;

李天赐 .

中国专利 :CN113611798A ,2021-11-05

[9]

相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器 [P].

宋志棠 ;

郑龙 ;

宋三年 ;

任堃 ;

朱敏 ;

宋文雄 .

中国专利 :CN109935688B ,2019-06-25

[10]

一种用于相变存储器的相变薄膜及其制备方法 [P].

汪昌州 .

中国专利 :CN107369760B ,2017-11-21

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