一种相变薄膜及其制备方法和相变存储器

被引：0

申请号：

CN202110759641.5

申请日：

2021-07-05

公开(公告)号：

CN115589771A

公开(公告)日：

2023-01-10

发明(设计)人：

程晓敏刘香君曾运韬缪向水马平谭海波李响

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H10N7020

IPC分类号：

H10B6310

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

熊永强;李稷芳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[2]

一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

崔铭格 ;

曾运韬 ;

李凯 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115084370A ,2022-09-20

[3]

相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器 [P].

宋志棠 ;

郑龙 ;

宋三年 .

中国专利 :CN109728162A ,2019-05-07

[4]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361B ,2024-05-24

[5]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361A ,2021-11-02

[6]

一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

崔铭格 ;

曾运韬 ;

李凯 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115084370B ,2025-10-17

[7]

多层相变薄膜及其相变存储器单元的制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

刘建彬 ;

李天赐 .

中国专利 :CN113611798A ,2021-11-05

[8]

一种用于相变存储器的相变薄膜及其制备方法 [P].

汪昌州 .

中国专利 :CN107369760B ,2017-11-21

[9]

Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 [P].

汪昌州 ;

刘东方 ;

张伟 ;

杨康 .

中国专利 :CN106935701A ,2017-07-07

[10]

一种超晶格相变薄膜及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

张博凯 ;

曾运韬 ;

缪向水 ;

马平 ;

廖宇 ;

石晓钟 .

中国专利 :CN115589770A ,2023-01-10

← 1 2 3 4 5 →