倒装发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010436890.6

申请日：

2020-05-21

公开(公告)号：

CN111769190B

公开(公告)日：

2020-10-13

发明(设计)人：

兰叶黄磊张威吴志浩李鹏

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-13	公开	公开
2022-01-14	授权	授权
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/62 申请日:20200521

共 50 条

[1]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111540818A ,2020-08-14

[2]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111446341B ,2020-07-24

[3]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

熊伟平 ;

杨恕帆 ;

杨美佳 ;

吴俊毅 ;

吴超瑜 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN106025028B ,2016-10-12

[4]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[6]

发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110246934A ,2019-09-17

[7]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247B ,2024-01-30

[8]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112289903B ,2021-01-29

[9]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112216782A ,2021-01-12

[10]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄彪彪 ;

肖和平 ;

汪洋 .

中国专利 :CN117374184A ,2024-01-09

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