倒装发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610336713.4

申请日：

2016-05-20

公开(公告)号：

CN106025028B

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

熊伟平杨恕帆杨美佳吴俊毅吴超瑜王笃祥

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687255169 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2016103367134 申请日:20160520
2016-10-12	公开	公开
2018-06-26	授权	授权

共 50 条

[1]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111540818A ,2020-08-14

[2]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111446341B ,2020-07-24

[3]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111769190B ,2020-10-13

[4]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

[5]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

[6]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[7]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[8]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[9]

发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110246934A ,2019-09-17

[10]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247B ,2024-01-30

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