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一种紫外LED芯片及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010811846.9
申请日
:
2020-08-13
公开(公告)号
:
CN111900237A
公开(公告)日
:
2020-11-06
发明(设计)人
:
万志
卓祥景
尧刚
程伟
林志伟
申请人
:
申请人地址
:
361100 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
IPC主分类号
:
H01L3312
IPC分类号
:
H01L3314
H01L3306
H01L3332
H01L3300
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
李晓光
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-24
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20200813
2020-11-06
公开
公开
共 50 条
[1]
一种紫外LED芯片制作方法
[P].
曾昭烩
论文数:
0
引用数:
0
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曾昭烩
;
刘晓燕
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刘晓燕
;
陈志涛
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陈志涛
;
刘久澄
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刘久澄
;
龚政
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龚政
;
任远
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任远
;
潘章旭
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潘章旭
;
李叶林
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李叶林
.
中国专利
:CN108011002B
,2018-05-08
[2]
一种紫外LED芯片及其制作方法
[P].
仇美懿
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仇美懿
;
庄家铭
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庄家铭
.
中国专利
:CN111192945A
,2020-05-22
[3]
一种紫外LED芯片及其制作方法
[P].
仇美懿
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仇美懿
;
林耀辉
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林耀辉
;
庄家铭
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庄家铭
.
中国专利
:CN110854253A
,2020-02-28
[4]
一种紫外LED芯片及其制作方法
[P].
仇美懿
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
仇美懿
;
林耀辉
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
林耀辉
;
庄家铭
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机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
庄家铭
.
中国专利
:CN110854253B
,2024-04-30
[5]
一种紫外LED垂直结构芯片及其制作方法
[P].
何苗
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何苗
;
杨思攀
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杨思攀
;
王润
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王润
;
赵韦人
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赵韦人
.
中国专利
:CN108666397A
,2018-10-16
[6]
一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片
[P].
蔺宇航
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蔺宇航
;
卓祥景
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卓祥景
;
尧刚
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尧刚
;
程伟
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程伟
;
林志伟
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林志伟
.
中国专利
:CN111341892A
,2020-06-26
[7]
LED芯片及其制作方法
[P].
卢廷昌
论文数:
0
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0
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0
卢廷昌
.
中国专利
:CN104465934A
,2015-03-25
[8]
LED芯片及其制作方法
[P].
卢廷昌
论文数:
0
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0
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0
卢廷昌
.
中国专利
:CN104465915A
,2015-03-25
[9]
一种紫外LED芯片的制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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不公告发明人
.
中国专利
:CN108336196A
,2018-07-27
[10]
一种紫外LED芯片、紫外LED芯片的制作方法及一种紫外LED
[P].
何苗
论文数:
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何苗
;
杨思攀
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杨思攀
;
王润
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王润
;
赵韦人
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赵韦人
.
中国专利
:CN108110105A
,2018-06-01
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