一种紫外LED芯片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810080422.2

申请日：

2018-01-27

公开(公告)号：

CN108336196A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

215131 江苏省苏州市相城区元和街道万客隆商城7幢399室

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2102 H01L3306 H01L3322 H01L3332 H01L3356

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180127
2018-07-27	公开	公开
2020-01-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20180727

共 50 条

[1]

一种紫外LED芯片及其制作方法 [P].

万志 ;

卓祥景 ;

尧刚 ;

程伟 ;

林志伟 .

中国专利 :CN111900237A ,2020-11-06

[2]

紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片 [P].

李勇强 ;

张晓娜 ;

王充 ;

纪银星 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN121152414A ,2025-12-16

[3]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

唐慧慧 ;

霍丽艳 ;

崔晓慧 .

中国专利 :CN118507613A ,2024-08-16

[4]

一种新型的紫外LED芯片电极制备方法 [P].

周启航 .

中国专利 :CN111769188A ,2020-10-13

[5]

紫外LED芯片的制备方法 [P].

齐胜利 ;

沈春生 ;

李玉荣 .

中国专利 :CN106947254A ,2017-07-14

[6]

紫外LED制备方法及紫外LED [P].

黄小辉 ;

郑远志 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN110504339A ,2019-11-26

[7]

一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片 [P].

刘春杨 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117080328B ,2024-01-09

[8]

一种紫外LED芯片、紫外LED芯片的制作方法及一种紫外LED [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王润 ;

赵韦人 .

中国专利 :CN108110105A ,2018-06-01

[9]

基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法 [P].

陈景文 ;

张毅 ;

单茂诚 ;

谭波 ;

龙翰凌 ;

张爽 .

中国专利 :CN109346570A ,2019-02-15

[10]

紫外LED外延制备方法及紫外LED [P].

黄小辉 ;

康建 ;

郑远志 ;

梁旭东 ;

陈向东 .

中国专利 :CN109585616A ,2019-04-05

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