一种紫外LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410837628.0

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN118507613A

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

唐慧慧霍丽艳崔晓慧

申请人：

江西乾照光电有限公司

申请人地址：

330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杨威

法律状态：

公开

国省代码：

江西省南昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-16	公开	公开
2024-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20240626

共 50 条

[1]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN107452861B ,2024-01-23

[2]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN107452861A ,2017-12-08

[3]

一种LED芯片及其制备方法 [P].

田文 ;

赵进超 ;

沈侠强 ;

李士涛 .

中国专利 :CN114464710A ,2022-05-10

[4]

一种LED芯片及其制备方法 [P].

余洪铃 ;

梁永能 ;

柯志杰 ;

崔恒平 ;

李敏华 .

中国专利 :CN121152447A ,2025-12-16

[5]

一种LED芯片及其制备方法 [P].

王莎莎 ;

万志 ;

陈少彬 ;

卓祥景 ;

程伟 .

中国专利 :CN119545990A ,2025-02-28

[6]

紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片 [P].

李勇强 ;

张晓娜 ;

王充 ;

纪银星 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN121152414A ,2025-12-16

[7]

高压LED芯片及其制备方法 [P].

董国庆 ;

曹丹丹 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118841491A ,2024-10-25

[8]

高压LED芯片及其制备方法 [P].

董国庆 ;

曹丹丹 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118841491B ,2025-09-23

[9]

一种LED芯片制备方法 [P].

周智斌 .

中国专利 :CN111710761A ,2020-09-25

[10]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN107437542A ,2017-12-05

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