高压LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410807682.0

申请日：

2024-06-21

公开(公告)号：

CN118841491A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

董国庆曹丹丹文国昇金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/36

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

王建宇

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-23	授权	授权
2024-10-25	公开	公开
2024-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20240621

共 50 条

[1]

高压LED芯片及其制备方法 [P].

董国庆 ;

曹丹丹 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118841491B ,2025-09-23

[2]

高压Micro-LED芯片及其制备方法 [P].

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810318B ,2024-05-07

[3]

高压Micro-LED芯片及其制备方法 [P].

汪恒青 ;

王雪峰 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119630134A ,2025-03-14

[4]

高压Micro-LED芯片及其制备方法 [P].

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810318A ,2024-04-02

[5]

LED芯片及其制备方法 [P].

张雪 ;

李美玲 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN120264951A ,2025-07-04

[6]

LED芯片及其制备方法 [P].

张雪 ;

李美玲 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN120264951B ,2025-08-08

[7]

一种LED芯片及其制备方法 [P].

余洪铃 ;

梁永能 ;

柯志杰 ;

崔恒平 ;

李敏华 .

中国专利 :CN121152447A ,2025-12-16

[8]

一种高压LED芯片制备方法及高压LED芯片 [P].

张亚 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894886A ,2024-04-16

[9]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

唐慧慧 ;

霍丽艳 ;

崔晓慧 .

中国专利 :CN118507613A ,2024-08-16

[10]

LED芯片及其制备方法 [P].

华浩文 ;

杨文献 ;

陆书龙 ;

朱建军 ;

张鹏 ;

顾颖 ;

龚毅 ;

黄梦洋 .

中国专利 :CN118367074A ,2024-07-19

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