一种紫外LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710865325.X

申请日：

2017-09-22

公开(公告)号：

CN107452861B

公开(公告)日：

2024-01-23

发明(设计)人：

何苗杨思攀赵韦人王成民

申请人：

广东工业大学

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

IPC主分类号：

H01L33/62

IPC分类号：

H01L33/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆宗力;王宝筠

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-23	授权	授权
2025-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):H01L 33/62登记生效日:20251111变更事项:专利权人变更前权利人:广东工业大学变更后权利人:广州信华技术服务有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:510062 广东省广州市越秀区东风东路729号大院变更后权利人:510000 广东省广州市天河区中山大道中999号610

共 50 条

[1]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN107452861A ,2017-12-08

[2]

一种紫外LED芯片 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN207529970U ,2018-06-22

[3]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN107437542A ,2017-12-05

[4]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

唐慧慧 ;

霍丽艳 ;

崔晓慧 .

中国专利 :CN118507613A ,2024-08-16

[5]

一种深紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118039760A ,2024-05-14

[6]

一种深紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118039760B ,2024-07-02

[7]

一种紫外LED芯片 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

王润 ;

周海亮 .

中国专利 :CN207265051U ,2018-04-20

[8]

紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王军喜 ;

蒋宗霖 ;

魏学成 .

中国专利 :CN117832345A ,2024-04-05

[9]

紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王军喜 ;

蒋宗霖 ;

魏学成 .

中国专利 :CN119907373A ,2025-04-29

[10]

一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN107293629A ,2017-10-24

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