一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710638940.7

申请日：

2017-07-31

公开(公告)号：

CN107293629A

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

何苗杨思攀王成民周海亮王润

申请人：

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L25075 H01L2360

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李婷婷;王宝筠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-24	公开	公开
2017-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20170731

共 50 条

[1]

一种紫外LED外延芯片倒装结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN206947377U ,2018-01-30

[2]

外延结构及其制作方法、LED器件 [P].

谷鹏军 ;

刘勇兴 .

中国专利 :CN114038959A ,2022-02-11

[3]

一种倒装结构的LED芯片制作方法 [P].

祝进田 .

中国专利 :CN102354721A ,2012-02-15

[4]

一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法 [P].

陈亮 ;

李俊贤 ;

吕奇孟 ;

吴奇隆 ;

陈凯轩 ;

张永 ;

刘英策 ;

李小平 ;

魏振东 ;

周弘毅 ;

黄鑫茂 ;

蔡立鹤 ;

林志伟 ;

姜伟 ;

卓祥景 ;

方天足 .

中国专利 :CN106025010A ,2016-10-12

[5]

一种LED芯片结构及其制作方法 [P].

吕清清 ;

王洪占 ;

徐洲 .

中国专利 :CN111415931A ,2020-07-14

[6]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN208077977U ,2018-11-09

[7]

一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN108400133B ,2025-03-25

[8]

一种芯片倒装结构制作方法 [P].

贾钊 ;

窦志珍 ;

兰晓雯 ;

杨琦 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114497322A ,2022-05-13

[9]

一种稳压LED外延结构及其制作方法、LED芯片和LED灯管 [P].

仇美懿 .

中国专利 :CN109065687A ,2018-12-21

[10]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN107452861B ,2024-01-23

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