紫外LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311374137.9

申请日：

2023-10-23

公开(公告)号：

CN119907373A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

王军喜蒋宗霖魏学成

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H10H20/812

IPC分类号：

H10H20/816 H10H20/01

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

樊晓

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	公开	公开
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/812申请日:20231023

共 50 条

[1]

紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王军喜 ;

蒋宗霖 ;

魏学成 .

中国专利 :CN117832345A ,2024-04-05

[2]

紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片 [P].

李勇强 ;

张晓娜 ;

王充 ;

纪银星 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN121152414A ,2025-12-16

[3]

紫外LED芯片的制备方法 [P].

齐胜利 ;

沈春生 ;

李玉荣 .

中国专利 :CN106947254A ,2017-07-14

[4]

LED芯片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 ;

周溯沅 .

中国专利 :CN114242860A ,2022-03-25

[5]

LED芯片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 ;

周溯沅 .

中国专利 :CN114242860B ,2024-11-26

[6]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王钢 ;

陈伟驱 ;

练海啸 ;

陈梓敏 ;

马学进 .

中国专利 :CN109742210A ,2019-05-10

[7]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN107452861B ,2024-01-23

[8]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

黄敏 ;

刘小亮 ;

彭康伟 ;

林素慧 .

中国专利 :CN110491980A ,2019-11-22

[9]

深紫外Micro-LED芯片及其制备方法 [P].

周圣军 ;

刘旭 .

中国专利 :CN120769627A ,2025-10-10

[10]

一种紫外LED芯片及其制备方法 [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

赵韦人 ;

王成民 .

中国专利 :CN107452861A ,2017-12-08

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