紫外LED制备方法及紫外LED

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910801072.9

申请日：

2019-08-28

公开(公告)号：

CN110504339A

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

黄小辉郑远志康建梁旭东

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3332

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

弋梅梅;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	公开	公开
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190828
2021-01-26	授权	授权

共 50 条

[1]

紫外LED外延制备方法及紫外LED [P].

黄小辉 ;

康建 ;

郑远志 ;

梁旭东 ;

陈向东 .

中国专利 :CN109585616A ,2019-04-05

[2]

紫外LED的制备方法及紫外LED [P].

黄小辉 ;

周德保 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN107195742A ,2017-09-22

[3]

紫外LED外延制备方法和紫外LED [P].

黄小辉 ;

王小文 ;

郑远志 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108183152A ,2018-06-19

[4]

紫外LED及其制备方法 [P].

黄小辉 ;

徐孝灵 ;

王小文 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN110335927A ,2019-10-15

[5]

紫外LED芯片的制备方法及紫外LED芯片 [P].

李勇强 ;

张晓娜 ;

王充 ;

纪银星 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN121152414A ,2025-12-16

[6]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[7]

深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112270A ,2019-08-09

[8]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115360276B ,2022-11-18

[9]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[10]

一种紫外LED及其制备方法 [P].

万志 ;

卓祥景 ;

蔺宇航 ;

尧刚 ;

程伟 .

中国专利 :CN111261757A ,2020-06-09

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