一种深紫外LED外延结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211276180.7

申请日：

2022-10-19

公开(公告)号：

CN115360276B

公开(公告)日：

2022-11-18

发明(设计)人：

请求不公布姓名

申请人：

申请人地址：

102629 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地永大路38号1幢4层409-14室

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

霍苗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	授权	授权
2022-11-18	公开	公开
2022-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20221019

共 50 条

[1]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[2]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

蔡武 ;

康建 ;

杨天鹏 ;

陈向东 .

中国专利 :CN115148872B ,2025-07-01

[3]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

蔡武 ;

康建 ;

杨天鹏 ;

陈向东 .

中国专利 :CN115148872A ,2022-10-04

[4]

一种紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115425128B ,2022-12-02

[5]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

郭丽彬 ;

齐胜利 .

中国专利 :CN113745379A ,2021-12-03

[6]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

郭丽彬 ;

齐胜利 .

中国专利 :CN113745379B ,2024-02-02

[7]

深紫外LED的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

张爽 ;

郑志华 ;

陈长清 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109461799A ,2019-03-12

[8]

深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112270A ,2019-08-09

[9]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898B ,2024-06-11

[10]

深紫外LED外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894898A ,2024-04-16

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