一种紫外LED外延结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211289929.1

申请日：

2022-10-21

公开(公告)号：

CN115425128B

公开(公告)日：

2022-12-02

发明(设计)人：

请求不公布姓名

申请人：

申请人地址：

102629 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地永大路38号1幢4层409-14室

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

霍苗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	授权	授权
2022-12-02	公开	公开
2022-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20221021

共 50 条

[1]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115360276B ,2022-11-18

[2]

一种紫外LED的外延结构及其制备方法 [P].

黄小辉 ;

王小文 ;

郑远志 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN109065680A ,2018-12-21

[3]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[4]

一种紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

黄波 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN107275450A ,2017-10-20

[5]

一种紫外LED外延结构 [P].

何苗 ;

黄波 ;

王成民 ;

周海亮 ;

王润 .

中国专利 :CN207381425U ,2018-05-18

[6]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

郑悠 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 .

中国专利 :CN109950371A ,2019-06-28

[7]

紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

刘锐森 ;

蓝文新 ;

刘召忠 ;

林辉 ;

杨小利 .

中国专利 :CN111403568A ,2020-07-10

[8]

一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法 [P].

郭嘉杰 ;

吴帆 ;

王慧勇 ;

张南 ;

刘自然 ;

孔倩茵 .

中国专利 :CN114093990B ,2022-02-25

[9]

一种紫外LED外延结构及其生长方法 [P].

何苗 ;

丛海云 ;

黄仕华 ;

熊德平 .

中国专利 :CN109585622A ,2019-04-05

[10]

紫外LED外延制备方法及紫外LED [P].

黄小辉 ;

康建 ;

郑远志 ;

梁旭东 ;

陈向东 .

中国专利 :CN109585616A ,2019-04-05

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