一种MOSFET功率器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202020827723.X
申请日
2020-05-18
公开(公告)号
CN212182339U
公开(公告)日
2020-12-18
发明(设计)人
孙晓儒 徐栋 张诚阳
申请人
申请人地址
350000 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906
代理机构
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219
代理人
林祥翔;魏小霞
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
MOSFET功率器件 [P]. 
朱超群 ;
钟树理 ;
陈宇 .
中国专利 :CN203871339U ,2014-10-08
[2]
MOSFET功率器件 [P]. 
朱超群 ;
陈宇 .
中国专利 :CN203871340U ,2014-10-08
[3]
新型功率MOSFET器件 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN209216983U ,2019-08-06
[4]
一种功率MOSFET器件 [P]. 
易琼红 ;
左勇强 ;
龚利汀 .
中国专利 :CN222282005U ,2024-12-31
[5]
一种功率MOSFET器件 [P]. 
黄树良 ;
谢锋民 ;
邵栎瑾 .
中国专利 :CN2857224Y ,2007-01-10
[6]
一种低功耗功率MOSFET器件 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN209216982U ,2019-08-06
[7]
一种通用功率MOSFET器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈剑 ;
姜帆 ;
张军亮 .
中国专利 :CN208315534U ,2019-01-01
[8]
功率MOSFET器件 [P]. 
陈远华 ;
居长朝 ;
徐烨钧 .
中国专利 :CN217280786U ,2022-08-23
[9]
功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583798U ,2021-06-29
[10]
功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03