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一种MOSFET功率器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202020827723.X
申请日
:
2020-05-18
公开(公告)号
:
CN212182339U
公开(公告)日
:
2020-12-18
发明(设计)人
:
孙晓儒
徐栋
张诚阳
申请人
:
申请人地址
:
350000 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2906
代理机构
:
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219
代理人
:
林祥翔;魏小霞
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-18
授权
授权
共 50 条
[1]
MOSFET功率器件
[P].
朱超群
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朱超群
;
钟树理
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钟树理
;
陈宇
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陈宇
.
中国专利
:CN203871339U
,2014-10-08
[2]
MOSFET功率器件
[P].
朱超群
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朱超群
;
陈宇
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陈宇
.
中国专利
:CN203871340U
,2014-10-08
[3]
新型功率MOSFET器件
[P].
徐吉程
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徐吉程
;
袁力鹏
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袁力鹏
;
范玮
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范玮
.
中国专利
:CN209216983U
,2019-08-06
[4]
一种功率MOSFET器件
[P].
易琼红
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机构:
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
易琼红
;
左勇强
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机构:
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
左勇强
;
龚利汀
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机构:
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
龚利汀
.
中国专利
:CN222282005U
,2024-12-31
[5]
一种功率MOSFET器件
[P].
黄树良
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黄树良
;
谢锋民
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谢锋民
;
邵栎瑾
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邵栎瑾
.
中国专利
:CN2857224Y
,2007-01-10
[6]
一种低功耗功率MOSFET器件
[P].
徐吉程
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徐吉程
;
袁力鹏
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袁力鹏
;
范玮
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范玮
.
中国专利
:CN209216982U
,2019-08-06
[7]
一种通用功率MOSFET器件
[P].
陈利
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陈利
;
陈译
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陈译
;
陈剑
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陈剑
;
姜帆
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姜帆
;
张军亮
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张军亮
.
中国专利
:CN208315534U
,2019-01-01
[8]
功率MOSFET器件
[P].
陈远华
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陈远华
;
居长朝
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居长朝
;
徐烨钧
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徐烨钧
.
中国专利
:CN217280786U
,2022-08-23
[9]
功率MOSFET器件
[P].
黄彦智
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黄彦智
;
俞仲威
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俞仲威
.
中国专利
:CN213583798U
,2021-06-29
[10]
功率MOSFET器件
[P].
朱袁正
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朱袁正
;
叶鹏
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叶鹏
.
中国专利
:CN202473932U
,2012-10-03
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