MOSFET功率器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201320838583.6
申请日
2013-12-19
公开(公告)号
CN203871340U
公开(公告)日
2014-10-08
发明(设计)人
朱超群 陈宇
申请人
申请人地址
315800 浙江省宁波市宁波保税区南区庐山西路155号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906
代理机构
代理人
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
MOSFET功率器件 [P]. 
朱超群 ;
钟树理 ;
陈宇 .
中国专利 :CN203871339U ,2014-10-08
[2]
新型功率MOSFET器件 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN209216983U ,2019-08-06
[3]
功率MOSFET器件 [P]. 
陈远华 ;
居长朝 ;
徐烨钧 .
中国专利 :CN217280786U ,2022-08-23
[4]
功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583798U ,2021-06-29
[5]
功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03
[6]
功率MOSFET器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN212161822U ,2020-12-15
[7]
新型SiC MOSFET功率器件 [P]. 
张景超 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN215069992U ,2021-12-07
[8]
功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件 [P]. 
王明玮 .
中国专利 :CN208923102U ,2019-05-31
[9]
SiC MOSFET功率器件 [P]. 
张景超 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN112531017B ,2025-08-08
[10]
耐压功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583803U ,2021-06-29