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功率MOSFET器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202020573474.6
申请日：
2020-04-17
公开(公告)号：
CN212161822U
公开(公告)日：
2020-12-15
发明(设计)人：
陈译 陆佳顺 杨洁雯
申请人：
申请人地址：
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423 H01L2906
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
马明渡;王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-12-15 授权 授权
共 50 条
[1]
新型功率MOSFET器件 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN209216983U ,2019-08-06
[2]
功率MOSFET器件 [P]. 
陈远华 ;
居长朝 ;
徐烨钧 .
中国专利 :CN217280786U ,2022-08-23
[3]
功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583798U ,2021-06-29
[4]
功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03
[5]
沟槽型功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN205789991U ,2016-12-07
[6]
电荷耦合功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN206697486U ,2017-12-01
[7]
功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件 [P]. 
王明玮 .
中国专利 :CN208923102U ,2019-05-31
[8]
耐压功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583803U ,2021-06-29
[9]
MOSFET功率器件 [P]. 
朱超群 ;
钟树理 ;
陈宇 .
中国专利 :CN203871339U ,2014-10-08
[10]
功率MOSFET器件 [P]. 
王飞 .
中国专利 :CN107611124B ,2018-01-19
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