功率MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710768035.3

申请日：

2017-08-31

公开(公告)号：

CN107611124B

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

王飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2906 H01L2910 H01L29423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	授权	授权
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20170831
2018-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

功率MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN217280786U ,2022-08-23

[2]

功率MOSFET器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583798U ,2021-06-29

[3]

功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03

[4]

功率MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

C·M·卡玛勒里 ;

A·瓜尔内拉 .

:CN220934087U ,2024-05-10

[5]

功率MOSFET器件 [P].

吉尔伯托·库拉托拉 ;

张摹怀 .

中国专利 :CN119968939A ,2025-05-09

[6]

功率MOSFET器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212161822U ,2020-12-15

[7]

功率MOSFET器件的制造方法和功率MOSFET器件 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119584573A ,2025-03-07

[8]

功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件 [P].

王明玮 .

中国专利 :CN208923102U ,2019-05-31

[9]

新型功率MOSFET器件 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN209216983U ,2019-08-06

[10]

耐压功率MOSFET器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583803U ,2021-06-29

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