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功率MOSFET器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280100551.8
申请日：
2022-10-18
公开(公告)号：
CN119968939A
公开(公告)日：
2025-05-09
发明(设计)人：
吉尔伯托·库拉托拉 张摹怀
申请人：
华为数字能源技术有限公司
申请人地址：
518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香安社区安托山六路33号安托山总部大厦A座研发39层01号
IPC主分类号：
H10D64/00
IPC分类号：
H10D64/20 H10D64/23 H10D30/60 H10D30/01
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
李稷芳
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-09 公开 公开
2025-05-27 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/00申请日:20221018
共 50 条
[1]
功率MOSFET器件 [P]. 
陈远华 ;
居长朝 ;
徐烨钧 .
中国专利 :CN217280786U ,2022-08-23
[2]
功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583798U ,2021-06-29
[3]
功率MOSFET器件 [P]. 
王飞 .
中国专利 :CN107611124B ,2018-01-19
[4]
功率MOSFET器件 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN202473932U ,2012-10-03
[5]
功率MOSFET器件 [P]. 
M·G·萨吉奥 ;
C·M·卡玛勒里 ;
A·瓜尔内拉 .
:CN220934087U ,2024-05-10
[6]
功率MOSFET器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN212161822U ,2020-12-15
[7]
功率MOSFET器件的制造方法和功率MOSFET器件 [P]. 
张鹏程 ;
孟宇 .
中国专利 :CN119584573A ,2025-03-07
[8]
功率MOSFET器件散热装置及功率MOSFET器件 [P]. 
王明玮 .
中国专利 :CN208923102U ,2019-05-31
[9]
新型功率MOSFET器件 [P]. 
徐吉程 ;
袁力鹏 ;
范玮 .
中国专利 :CN209216983U ,2019-08-06
[10]
耐压功率MOSFET器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583803U ,2021-06-29
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