导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280029318.1

申请日：

2012-06-12

公开(公告)号：

CN103608310B

公开(公告)日：

2014-02-26

发明(设计)人：

宫永美纪曾我部浩一粟田英章冈田浩吉村雅司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C01G1500 C04B3544 C23C1408 C23C1434 H01L21336 H01L29786

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

金龙河;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-26	公开	公开
2016-02-03	授权	授权
2014-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581021929 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2012800293181 申请日:20120612

共 50 条

[1]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105324509A ,2016-02-10

[2]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

谷川幸登 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109417037A ,2019-03-01

[3]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

谷川幸登 ;

人罗俊实 .

日本专利 :CN109417037B ,2024-03-15

[4]

氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN110809826A ,2020-02-18

[5]

形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用 [P].

J·毛拉 .

中国专利 :CN102666914B ,2012-09-12

[6]

氧化物半导体及其制造方法 [P].

兰林锋 ;

肖鹏 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN102832235A ,2012-12-19

[7]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN109071359B ,2018-12-21

[8]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN105336791A ,2016-02-17

[9]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN103339715B ,2013-10-02

[10]

氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 [P].

井上聪 ;

下田达也 ;

川北知纪 ;

藤本信贵 ;

西冈圣司 .

中国专利 :CN105474372A ,2016-04-06

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