用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610156605.5

申请日：

2006-12-28

公开(公告)号：

CN101037794A

公开(公告)日：

2007-09-19

发明(设计)人：

赵铉鼎

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-09-19	公开	公开
2013-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101556595509 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2006101566055 申请公布日:20070919

共 50 条

[1]

硅单晶制造方法、硅单晶和晶片 [P].

中居克彦 ;

大久保正道 .

中国专利 :CN103282555A ,2013-09-04

[2]

高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片 [P].

赵铉鼎 .

中国专利 :CN1904147B ,2007-01-31

[3]

碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

中林正史 ;

下村光太 ;

永畑幸雄 ;

小岛清 .

中国专利 :CN105658846A ,2016-06-08

[4]

硅单晶锭的制造方法 [P].

加藤英生 ;

村上英明 .

中国专利 :CN102560622A ,2012-07-11

[5]

IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法 [P].

小野敏昭 ;

梅野繁 ;

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN101054721A ,2007-10-17

[6]

硅试样的碳浓度测定方法、硅单晶锭的制造方法、硅单晶锭和硅晶片 [P].

江里口和隆 ;

佐俣秀一 ;

三次伯知 ;

柾田亚由美 .

中国专利 :CN108886005A ,2018-11-23

[7]

直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭 [P].

李涛勇 ;

李林东 ;

许堃 ;

张鹏 .

中国专利 :CN118516745A ,2024-08-20

[8]

直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭 [P].

李涛勇 ;

李林东 ;

许堃 ;

张鹏 .

中国专利 :CN118516745B ,2024-09-27

[9]

碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

星乃纪博 ;

德田雄一郎 ;

冈本武志 .

中国专利 :CN112626618A ,2021-04-09

[10]

CZ法拉制硅单晶锭的杂质源、硅单晶锭及其拉制方法 [P].

李涛勇 ;

闫洪嘉 ;

许堃 ;

李林东 .

中国专利 :CN118727125A ,2024-10-01

← 1 2 3 4 5 →