包括空穴注入层的半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410431583.3

申请日：

2014-08-28

公开(公告)号：

CN104425665A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

金在均金柱成金峻渊朴永洙卓泳助

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张帆

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-04	授权	授权
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671711049 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2014104315833 申请日:20140828
2015-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件和包括其的发光器件封装 [P].

郑畴溶 .

中国专利 :CN101807637B ,2010-08-18

[2]

半导体发光器件 [P].

李洁 ;

姚强 .

中国专利 :CN213716926U ,2021-07-16

[3]

半导体发光器件 [P].

李海权 .

中国专利 :CN102498585A ,2012-06-13

[4]

半导体发光器件、包括半导体发光器件的显示装置及其制造方法 [P].

朴成敏 ;

赵炳权 ;

崔元硕 ;

权正晓 ;

郑镇赫 .

韩国专利 :CN120167148A ,2025-06-17

[5]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[6]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[7]

包括多孔层的半导体发光器件及其制造方法 [P].

J·E·埃普勒 ;

M·R·克拉梅斯 ;

H·赵 ;

J·C·金 .

中国专利 :CN101467268B ,2009-06-24

[8]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[9]

半导体发光器件 [P].

李尚烈 .

中国专利 :CN102017195A ,2011-04-13

[10]

半导体发光器件 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

文智炯 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102820399A ,2012-12-12

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