半导体装置及其制造方法和半导体集成电路

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专利类型
发明
申请号
CN202010852170.8
申请日
2020-08-21
公开(公告)号
CN111952155B
公开(公告)日
2020-11-17
发明(设计)人
刘思旸
申请人
申请人地址
401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
IPC主分类号
H01L2118
IPC分类号
H01S502
代理机构
北京市汉坤律师事务所 11602
代理人
初媛媛;吴丽丽
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体集成电路、其制造方法和半导体装置 [P]. 
权住妍 ;
姜承勳 .
韩国专利 :CN119990041A ,2025-05-13
[2]
半导体装置及其制造方法以及半导体集成电路 [P]. 
金本俊几 ;
吉田真澄 ;
渡边哲也 ;
一法师隆志 .
中国专利 :CN1819216A ,2006-08-16
[3]
半导体装置和半导体集成电路 [P]. 
河江政幸 ;
野口隆史 ;
米山敦夫 .
中国专利 :CN107017024B ,2017-08-04
[4]
半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法 [P]. 
加藤清 .
中国专利 :CN1697187B ,2005-11-16
[5]
半导体集成电路及其制造方法 [P]. 
金光贤司 ;
渡部浩三 ;
铃木范夫 ;
石冢典男 .
中国专利 :CN1258933A ,2000-07-05
[6]
半导体集成电路制造方法及半导体集成电路 [P]. 
赵保军 .
中国专利 :CN109979875A ,2019-07-05
[7]
半导体集成电路 [P]. 
渡边浩志 ;
松澤一也 ;
白田理一郎 .
中国专利 :CN1278419C ,2004-03-24
[8]
半导体集成电路卡制造方法和半导体集成电路卡 [P]. 
森村仁一 ;
松田宏也 .
中国专利 :CN1251469A ,2000-04-26
[9]
半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置 [P]. 
山口真弓 ;
泉小波 .
中国专利 :CN102169850A ,2011-08-31
[10]
半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置 [P]. 
山口真弓 ;
泉小波 .
中国专利 :CN101064287B ,2007-10-31