共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010928090.6
申请日：
2020-09-07
公开(公告)号：
CN114156334A
公开(公告)日：
2022-03-08
发明(设计)人：
蔡巧明
乔欢
申请人：
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29423
H01L21822
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200907 |
| 2022-03-08 | 公开 | 公开 |