半导体结构及其形成方法

被引:0
申请号
CN202011392467.7
申请日
2020-12-02
公开(公告)号
CN114597206A
公开(公告)日
2022-06-07
发明(设计)人
蔡巧明 马丽莎
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢
IPC主分类号
H01L27092
IPC分类号
H01L218238
代理机构
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人
高静
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
马丽莎 .
中国专利 :CN114597206B ,2025-06-03
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
乔欢 .
中国专利 :CN114156334B ,2025-12-09
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
乔欢 .
中国专利 :CN114156334A ,2022-03-08
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
马丽莎 .
中国专利 :CN116210084A8 ,2024-05-14
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
马丽莎 .
中国专利 :CN115084214A ,2022-09-20
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
马丽莎 .
中国专利 :CN115224116B ,2025-12-05
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
马丽莎 .
中国专利 :CN115084214B ,2025-04-25
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 .
中国专利 :CN114664915B ,2025-12-05
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 .
中国专利 :CN114551562A ,2022-05-27
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡巧明 ;
马丽莎 .
中国专利 :CN116210084B ,2025-06-06