一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110370494.2

申请日：

2021-04-07

公开(公告)号：

CN113206003B

公开(公告)日：

2021-08-03

发明(设计)人：

杨学林沈波刘丹烁沈剑飞蔡子东陈正昊马骋

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2302 C30B2518 C30B2940

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	公开	公开
2022-07-01	授权	授权
2021-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210407

共 50 条

[1]

一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法 [P].

杨学林 ;

沈波 ;

冯玉霞 ;

张智宏 ;

刘开辉 ;

张洁 ;

许福军 ;

王新强 ;

唐宁 .

中国专利 :CN108878265A ,2018-11-23

[2]

一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法 [P].

杨学林 ;

沈波 ;

冯玉霞 ;

张智宏 ;

刘开辉 ;

张洁 ;

许福军 ;

王新强 ;

唐宁 .

中国专利 :CN108878266A ,2018-11-23

[3]

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

肖红领 .

中国专利 :CN110752146A ,2020-02-04

[4]

自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

河口裕介 ;

目黑健 .

中国专利 :CN1979887B ,2007-06-13

[5]

在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P].

刘祥林 ;

焦春美 ;

于英仪 ;

赵凤瑗 .

中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31

[6]

一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 [P].

王建霞 ;

李志伟 ;

赵桂娟 ;

桑玲 ;

刘长波 ;

魏鸿源 ;

焦春美 ;

杨少延 ;

刘祥林 ;

朱勤生 ;

王占国 .

中国专利 :CN102839417A ,2012-12-26

[7]

一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 [P].

张国义 ;

杨志坚 ;

方浩 ;

李丁 ;

桑立雯 ;

陶岳彬 ;

康香宁 ;

孙永健 ;

陆羽 ;

赵璐冰 .

中国专利 :CN101685768A ,2010-03-31

[8]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655A ,2022-01-07

[9]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655B ,2025-12-05

[10]

在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 [P].

刘喆 ;

李晋闽 ;

王军喜 ;

王晓亮 ;

王启元 ;

刘宏新 ;

王俊 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1967778A ,2007-05-23

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