一种二氧化碲晶体的表面抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510866046.6

申请日：

2015-12-02

公开(公告)号：

CN105458907A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

叶青黄志文吴季王昌运陈伟

申请人：

申请人地址：

350003 福建省福州市软件大道89号F区9号楼

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

C09G102

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B24B 37/04 申请公布日:20160406
2016-04-06	公开	公开
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669704645 IPC(主分类):B24B 37/04 专利申请号:2015108660466 申请日:20151202

共 50 条

[1]

一种以二氧化碲为原料高效制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

许顺磊 ;

黄瀚文 ;

常意川 ;

彭戴 ;

卢北虎 .

中国专利 :CN117623237A ,2024-03-01

[2]

一种以二氧化碲为原料高效制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

许顺磊 ;

黄瀚文 ;

常意川 ;

彭戴 ;

卢北虎 .

中国专利 :CN117623237B ,2025-05-20

[3]

一种水解制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

付勇 ;

王波 ;

陈应红 ;

罗鑫 ;

梅占强 .

中国专利 :CN114229806B ,2024-01-09

[4]

一种水解制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

付勇 ;

王波 ;

陈应红 ;

罗鑫 ;

梅占强 .

中国专利 :CN114229806A ,2022-03-25

[5]

一种二氧化碲晶体生长装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

杜灿中 .

中国专利 :CN218262816U ,2023-01-10

[6]

一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法 [P].

周长见 ;

陈基伟 ;

孙一泓 .

中国专利 :CN118308786B ,2024-10-01

[7]

一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法 [P].

周长见 ;

陈基伟 ;

孙一泓 .

中国专利 :CN118308786A ,2024-07-09

[8]

一种二氧化碲晶体的熔体法生长技术 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN120400998A ,2025-08-01

[9]

二氧化碲的制备方法 [P].

兰石琨 ;

包新军 ;

李义伟 ;

刘懿 ;

夏楚平 ;

王志坚 ;

翁国庆 ;

陈建波 ;

吴希桃 ;

胡婷 ;

谢振山 ;

罗天纵 ;

李静 .

中国专利 :CN109353995A ,2019-02-19

[10]

二氧化碲制备方法 [P].

罗鑫 ;

陈应红 .

中国专利 :CN112520707A ,2021-03-19

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