一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410402261.X

申请日：

2024-04-03

公开(公告)号：

CN118308786B

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

周长见陈基伟孙一泓

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B29/16 C23C14/06 C23C14/35 C30B29/64 C30B29/62 C30B25/18

代理机构：

广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295

代理人：

冼俊鹏

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	公开	公开
2024-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20240403
2024-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法 [P].

周长见 ;

陈基伟 ;

孙一泓 .

中国专利 :CN118308786A ,2024-07-09

[2]

一种二氧化碲晶体的表面抛光方法 [P].

叶青 ;

黄志文 ;

吴季 ;

王昌运 ;

陈伟 .

中国专利 :CN105458907A ,2016-04-06

[3]

一种以二氧化碲为原料高效制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

许顺磊 ;

黄瀚文 ;

常意川 ;

彭戴 ;

卢北虎 .

中国专利 :CN117623237A ,2024-03-01

[4]

一种以二氧化碲为原料高效制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

许顺磊 ;

黄瀚文 ;

常意川 ;

彭戴 ;

卢北虎 .

中国专利 :CN117623237B ,2025-05-20

[5]

一种二氧化碲晶体生长装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

杜灿中 .

中国专利 :CN218262816U ,2023-01-10

[6]

一种二氧化碲晶体的熔体法生长技术 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN120400998A ,2025-08-01

[7]

二氧化碲的制备方法 [P].

兰石琨 ;

包新军 ;

李义伟 ;

刘懿 ;

夏楚平 ;

王志坚 ;

翁国庆 ;

陈建波 ;

吴希桃 ;

胡婷 ;

谢振山 ;

罗天纵 ;

李静 .

中国专利 :CN109353995A ,2019-02-19

[8]

二氧化碲制备方法 [P].

罗鑫 ;

陈应红 .

中国专利 :CN112520707A ,2021-03-19

[9]

一种二氧化碲单晶的制备方法 [P].

童静芳 ;

周海涛 ;

何小玲 ;

左艳彬 ;

王金亮 ;

覃世杰 ;

张昌龙 ;

李东升 ;

吴文渊 ;

宋旭东 .

中国专利 :CN112725877A ,2021-04-30

[10]

二氧化碲的制备方法 [P].

兰石琨 ;

包新军 ;

李义伟 ;

王志坚 ;

夏楚平 ;

翁国庆 ;

陈建波 ;

吴希桃 ;

胡婷 ;

谢振山 ;

罗天纵 ;

李静 .

中国专利 :CN109179343A ,2019-01-11

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