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一种二氧化碲单晶的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011502352.9
申请日：
2020-12-18
公开(公告)号：
CN112725877A
公开(公告)日：
2021-04-30
发明(设计)人：
童静芳 周海涛 何小玲 左艳彬 王金亮 覃世杰 张昌龙 李东升 吴文渊 宋旭东
申请人：
申请人地址：
541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号
IPC主分类号：
C30B710
IPC分类号：
C30B2946
代理机构：
北京轻创知识产权代理有限公司 11212
代理人：
姚晓丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-05-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 7/10 申请日:20201218
2021-04-30 公开 公开
共 50 条
[1]
一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 [P]. 
葛增伟 ;
朱勇 ;
吴国庆 ;
殷学技 ;
唐林耀 ;
赵寒冰 ;
顾李臻 .
中国专利 :CN101851783A ,2010-10-06
[2]
一种二氧化碲制备工艺 [P]. 
郁亮 ;
周志坚 ;
李兴元 ;
王建远 ;
徐强 .
中国专利 :CN118108188A ,2024-05-31
[3]
一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置 [P]. 
涂朝阳 ;
王燕 ;
李坚富 ;
朱昭捷 .
中国专利 :CN116103746B ,2024-10-01
[4]
二氧化碲制备方法 [P]. 
罗鑫 ;
陈应红 .
中国专利 :CN112520707A ,2021-03-19
[5]
二氧化碲的制备方法 [P]. 
兰石琨 ;
包新军 ;
李义伟 ;
刘懿 ;
夏楚平 ;
王志坚 ;
翁国庆 ;
陈建波 ;
吴希桃 ;
胡婷 ;
谢振山 ;
罗天纵 ;
李静 .
中国专利 :CN109353995A ,2019-02-19
[6]
二氧化碲的制备方法 [P]. 
兰石琨 ;
包新军 ;
李义伟 ;
王志坚 ;
夏楚平 ;
翁国庆 ;
陈建波 ;
吴希桃 ;
胡婷 ;
谢振山 ;
罗天纵 ;
李静 .
中国专利 :CN109179343A ,2019-01-11
[7]
一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法 [P]. 
雷云 ;
高浩然 ;
李来超 ;
张榕贵 ;
陈腾波 ;
叶纪龙 .
中国专利 :CN118910731A ,2024-11-08
[8]
一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法 [P]. 
雷云 ;
高浩然 ;
李来超 ;
张榕贵 ;
陈腾波 ;
叶纪龙 .
中国专利 :CN118910731B ,2025-06-06
[9]
一种二氧化碲粉制备精碲的方法 [P]. 
郑雅杰 ;
曹攀 ;
范科彪 ;
孙召明 .
中国专利 :CN112390231B ,2021-02-23
[10]
一种以二氧化碲为原料高效制备晶体级二氧化碲的方法 [P]. 
许顺磊 ;
黄瀚文 ;
常意川 ;
彭戴 ;
卢北虎 .
中国专利 :CN117623237B ,2025-05-20
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