一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410943738.5

申请日：

2024-07-15

公开(公告)号：

CN118910731A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

雷云高浩然李来超张榕贵陈腾波叶纪龙

申请人：

森一量子科技（厦门）有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市集美区灌口镇集美北大道1068号7-2号楼第三层

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C30B11/14

代理机构：

厦门市新华专利商标代理有限公司 35203

代理人：

朱凌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/16申请日:20240715
2025-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法 [P].

雷云 ;

高浩然 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

陈腾波 ;

叶纪龙 .

中国专利 :CN118910731B ,2025-06-06

[2]

一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置 [P].

涂朝阳 ;

王燕 ;

李坚富 ;

朱昭捷 .

中国专利 :CN116103746B ,2024-10-01

[3]

一种二氧化碲单晶的制备方法 [P].

童静芳 ;

周海涛 ;

何小玲 ;

左艳彬 ;

王金亮 ;

覃世杰 ;

张昌龙 ;

李东升 ;

吴文渊 ;

宋旭东 .

中国专利 :CN112725877A ,2021-04-30

[4]

二氧化碲单晶体的生长技术 [P].

蒲芝芬 ;

葛增伟 .

中国专利 :CN85107803A ,1987-04-15

[5]

一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长方法 [P].

葛增伟 ;

吴国庆 ;

储耀卿 ;

殷学技 ;

唐林跃 ;

赵寒冰 ;

顾李臻 .

中国专利 :CN1306074C ,2004-04-07

[6]

一种二氧化碲单晶体的生长方法 [P].

刘运连 ;

朱刘 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN106757305A ,2017-05-31

[7]

一种二氧化碲制备工艺 [P].

郁亮 ;

周志坚 ;

李兴元 ;

王建远 ;

徐强 .

中国专利 :CN118108188A ,2024-05-31

[8]

一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 [P].

葛增伟 ;

朱勇 ;

吴国庆 ;

殷学技 ;

唐林耀 ;

赵寒冰 ;

顾李臻 .

中国专利 :CN101851783A ,2010-10-06

[9]

一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN221971728U ,2024-11-08

[10]

一种二氧化碲晶体生长装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

杜灿中 .

中国专利 :CN218262816U ,2023-01-10

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