二氧化碲单晶体的生长技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN85107803.6

申请日：

1985-10-09

公开(公告)号：

CN85107803A

公开(公告)日：

1987-04-15

发明(设计)人：

蒲芝芬葛增伟

申请人：

申请人地址：

上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

代理机构：

中国科学院上海专利事务所

代理人：

潘振甦;聂淑仪

法律状态：

专利权的终止未缴年费专利权终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-11-22	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-09-13	审定	审定
1990-05-02	授权	授权
1986-07-09	实质审查请求	实质审查请求

共 50 条

[1]

一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长方法 [P].

葛增伟 ;

吴国庆 ;

储耀卿 ;

殷学技 ;

唐林跃 ;

赵寒冰 ;

顾李臻 .

中国专利 :CN1306074C ,2004-04-07

[2]

一种二氧化碲单晶体的生长方法 [P].

刘运连 ;

朱刘 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN106757305A ,2017-05-31

[3]

二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体 [P].

吴长征 ;

吴俊驰 ;

郭宇桥 ;

杨波 ;

谢毅 .

中国专利 :CN111850684A ,2020-10-30

[4]

一种二氧化碲晶体的熔体法生长技术 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN120400998A ,2025-08-01

[5]

一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置 [P].

涂朝阳 ;

王燕 ;

李坚富 ;

朱昭捷 .

中国专利 :CN116103746B ,2024-10-01

[6]

一种二氧化碲晶体生长装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

杜灿中 .

中国专利 :CN218262816U ,2023-01-10

[7]

坩埚、制作方法和用其生长二氧化碲晶体的方法 [P].

薛帅 ;

刘运连 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN115478320A ,2022-12-16

[8]

一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN221971728U ,2024-11-08

[9]

单晶体生长设备 [P].

李昌润 ;

宋到原 ;

崔俊赫 ;

孙赈晧 ;

金喆焕 .

中国专利 :CN105051267B ,2015-11-11

[10]

一种以二氧化碲为原料高效制备晶体级二氧化碲的方法 [P].

许顺磊 ;

黄瀚文 ;

常意川 ;

彭戴 ;

卢北虎 .

中国专利 :CN117623237A ,2024-03-01

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